چکیده: در این پژوهش نوع جدیدی از پلیمرهای حک شده با قالب یونی مغناطیسی انتخاب‌پذیر نسبت به یون سرب با استفاده از ذرات مغناطیسی عامل‌دار شده〖Fe〗_3 O_4@〖SiO〗_2-〖NH〗_2 به عنوان بستر، سدیم رودیزونات به عنوان لیگاند، 2-هیدروکسی اتیل متاکریلات (HEMA) به عنوان مونومر عاملی، سدیم فرمالدهید سولفوکسیلات (SFS) و اتیلن گلیکول دی متاکریلات (EGDMA) به عنوان عامل شبکه‌ساز و ترشیو بوتیل هیدروپرکساید (TBHP) به عنوان آغازگر سنتز شد. پلیمر چاپ شده یونی سنتز شده توسط اسید نیتریک به عنوان محلول شستشو‌دهنده یون هدف به دست آمد. بررسی ساختار شیمیایی، ریخت شناسی، رفتار حرارتی و مغناطیسی پلیمر سنتز شده با استفاده از روش‌های طیف‌سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه (FT- IR)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) وآ‌‌نا‌لیز وزن‌سنجی حرارتی (TGA) انجام شد. بهینه‌سازی پارامترهای موثر بر جذب گونه‌ها شامل مقدار جاذب ،pH محیط، زمان و غلظت اولیه با استفاده از روش طیف‌سنجی جذب اتمی شعله‌ای انجام شد. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که پلیمر چاپ‌شده یونی مغناطیسی سنتز شده دارای ظرفیت جذب بالاتری ( 〖mg g〗^(-1)308/192) نسبت به پلیمر چاپ نشده یونی مغناطیسی (〖 mg g〗^(-1)527/107) می‌باشد. همچنین سینتیک جذب پلیمر چاپ شده و پلیمر چاپ نشده یونی مغناطیسی از سینتیک شبه مرتبه دوم تبعیت می‌کند. پلیمر چاپ شده یونی سنتز‌شده حداکثر گزینش‌پذیری را نسبت به یون سرب دارد و به طور موفقیت‌آمیزی برای حذف و شناسایی این آلاینده به کار گرفته شده است.